第一章　第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡(jiǎn)介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進(jìn)全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章　2023-2025年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1　2023-2025年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　政府部署情況
2.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.1.3　行業(yè)技術(shù)進(jìn)展
2.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.5　區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.6　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)
2.2　美國(guó)
2.2.1　經(jīng)費(fèi)投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.2.3　技術(shù)研究中心
2.2.4　國(guó)家支持基金
2.2.5　產(chǎn)線建設(shè)動(dòng)態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.2　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.3　技術(shù)路線分析
2.3.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.3.5　國(guó)際合作動(dòng)態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　企業(yè)布局情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點(diǎn)
第三章　2023-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)運(yùn)行情況
3.2.3　社會(huì)融資規(guī)模
3.2.4　宏觀經(jīng)濟(jì)展望
3.3　社會(huì)環(huán)境（Social）
3.3.1　社會(huì)教育水平
3.3.2　知識(shí)專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲(chǔ)備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請(qǐng)狀況
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章　2023-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　數(shù)字基建打開成長(zhǎng)空間
4.1.2　背光市場(chǎng)空間逐步擴(kuò)大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　產(chǎn)業(yè)上升國(guó)家戰(zhàn)略層面
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀特點(diǎn)
4.2.2　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.3　國(guó)產(chǎn)替代狀況
4.3　2023-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.3.2　產(chǎn)業(yè)企業(yè)布局
4.3.3　產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展
4.3.4　市場(chǎng)供需分析
4.4　2023-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體上游原材料市場(chǎng)發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅市場(chǎng)分析
4.4.2　上游氧化鋅市場(chǎng)現(xiàn)狀
4.4.3　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.4　上游材料競(jìng)爭(zhēng)狀況分析
4.5　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　技術(shù)缺乏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力
4.5.2　基礎(chǔ)研究能力欠缺
4.5.3　中試平臺(tái)成本高
4.5.4　制造技術(shù)未完全成熟
4.6　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對(duì)策
4.6.1　加大研發(fā)支持力度
4.6.2　完善產(chǎn)業(yè)體系生態(tài)
4.6.3　加快技術(shù)成果轉(zhuǎn)化
4.6.4　加強(qiáng)國(guó)際科技合作
第五章　2023-2025年第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　GAN技術(shù)水平
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2　GaN材料市場(chǎng)發(fā)展情況分析
5.2.1　市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)
5.2.2　材料價(jià)格走勢(shì)
5.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
5.2.4　市場(chǎng)應(yīng)用分析
5.2.5　專利申請(qǐng)情況
5.2.6　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
5.2.7　市場(chǎng)發(fā)展展望
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　GaN功率半導(dǎo)體
5.3.4　射頻器件產(chǎn)品
5.3.5　電力電子器件
5.3.6　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對(duì)策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議
第六章　2023-2025年第三代半導(dǎo)體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC基本定義
6.1.2　SiC性能特點(diǎn)
6.1.3　SiC制備工藝
6.1.4　SiC產(chǎn)品類型
6.1.5　SiC產(chǎn)業(yè)鏈條
6.1.6　SiC技術(shù)水平
6.1.7　技術(shù)難點(diǎn)分析
6.2　SiC材料市場(chǎng)發(fā)展情況分析
6.2.1　市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)
6.2.2　材料市場(chǎng)規(guī)模
6.2.3　市場(chǎng)供應(yīng)分析
6.2.4　市場(chǎng)需求分析
6.2.5　出口規(guī)模情況
6.2.6　區(qū)域布局情況
6.2.7　企業(yè)布局分析
6.2.8　專利申請(qǐng)情況
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
6.3.2　SiC射頻器件
6.3.3　SiC功率半導(dǎo)體
6.3.4　功率模塊產(chǎn)品
6.3.5　器件產(chǎn)品布局
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　SiC下游主要應(yīng)用場(chǎng)景
6.4.2　SiC導(dǎo)電型器件應(yīng)用
6.4.3　SiC半絕緣型器件應(yīng)用
6.4.4　SiC新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.5　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用
第七章　2023-2025年第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展?fàn)顩r分析
7.1�、笞宓�化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　技術(shù)研發(fā)突破
7.1.6　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.7　發(fā)展建議對(duì)策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.2.5　ZnO材料發(fā)展
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
7.3.3　材料國(guó)外進(jìn)展
7.3.4　國(guó)內(nèi)技術(shù)進(jìn)展
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料制備工藝
7.4.3　材料發(fā)展特點(diǎn)
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　企業(yè)布局分析
7.4.7　國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇
7.4.8　材料發(fā)展難點(diǎn)
7.4.9　材料發(fā)展趨勢(shì)
第八章　2023-2025年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　電力電子領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.2　全球應(yīng)用市場(chǎng)占比
8.2.3　國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.4　國(guó)內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.5　器件發(fā)展趨勢(shì)分析
8.3　微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
8.3.2　射頻市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析
8.3.3　射頻器件市場(chǎng)需求
8.3.4　國(guó)防基站應(yīng)用分析
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢(shì)
8.4　半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析
8.4.3　LED芯片發(fā)展
8.4.4　企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況
8.4.5　投融資狀況
8.5　半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀
8.5.2　市場(chǎng)規(guī)模分析
8.5.3　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)
8.6　5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程
8.6.2　行業(yè)投融資狀況
8.6.3　5G助推材料發(fā)展
8.6.4　材料應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展展望
8.7　新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　新能源汽車整體產(chǎn)銷規(guī)模
8.7.2　新能源汽車板塊企業(yè)動(dòng)態(tài)
8.7.3　新能源汽車市場(chǎng)集中度
8.7.4　充電基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行情況
8.7.5　設(shè)施與汽車的對(duì)比情況
第九章　2023-2025年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1　2023-2025年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.2　廣州產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　揚(yáng)州產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.4　寧波產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.5.5　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.6　區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵(lì)地方加大投入
第十章　2022-2025年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.1.3　主營(yíng)收入結(jié)構(gòu)
10.1.4　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.2　聞泰科技股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　行業(yè)發(fā)展地位
10.2.3　主營(yíng)收入結(jié)構(gòu)
10.2.4　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.3　北京賽微電子股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.3.3　主營(yíng)收入結(jié)構(gòu)
10.3.4　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.3.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.3.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.8　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.4　廈門乾照光電股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　營(yíng)業(yè)收入結(jié)構(gòu)
10.4.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.4.6　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.5　湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　行業(yè)發(fā)展地位
10.5.3　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.5.4　營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
10.5.5　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.5.6　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.7　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.5.8　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.9　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.6　京東方華燦光電股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.6.3　營(yíng)業(yè)收入結(jié)構(gòu)
10.6.4　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.6.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.6.7　公司經(jīng)營(yíng)計(jì)劃
10.7　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.7.3　營(yíng)業(yè)收入結(jié)構(gòu)
10.7.4　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.7.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.7.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
第十一章　中投顧問對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價(jià)值綜合評(píng)估
11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場(chǎng)周期
11.1.3　行業(yè)投資價(jià)值
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國(guó)際投資案例
11.2.2　國(guó)內(nèi)投資項(xiàng)目
11.2.3　國(guó)際企業(yè)并購
11.2.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動(dòng)態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場(chǎng)機(jī)遇
11.5.2　收購企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6　投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　項(xiàng)目建設(shè)必要性
11.6.3　項(xiàng)目建設(shè)可行性
11.6.4　項(xiàng)目投資概算
11.6.5　項(xiàng)目建設(shè)周期
11.6.6　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
第十二章　2025-2029年中投顧問對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢(shì)預(yù)測(cè)
12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢(shì)
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢(shì)
12.1.2　未來發(fā)展趨勢(shì)
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢(shì)
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　中投顧問對(duì)2025-2029年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析
12.3.1　中投顧問對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型分析
12.3.2　2025-2029年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點(diǎn)
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對(duì)比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表11　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表12　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表13　全球主要國(guó)家政策支持對(duì)比
圖表14　2025年全球第三代半導(dǎo)體主要企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表15　全球碳化硅（SiC）區(qū)域發(fā)展格局
圖表16　2022年全球氮化鎵（GaN）區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表17　全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)分析
圖表18　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表19　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表20　日本SiC技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)演進(jìn)
圖表21　日本第三代半導(dǎo)體企業(yè)格局
圖表22　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表23　2021-2025年碳化硅相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
圖表24　氮化鎵相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
圖表25　2020-2024年本專科、中等職業(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表26　2020-2024年研究與試驗(yàn)發(fā)展（R&D）經(jīng)費(fèi)支出及其增長(zhǎng)速度
圖表27　國(guó)內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表28　截至2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體專利申請(qǐng)狀況
圖表29　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表30　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表31　2022年國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料部分技術(shù)進(jìn)展
圖表32　全球推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國(guó)家計(jì)劃
圖表33　《中國(guó)制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標(biāo)
圖表34　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)列表
圖表35　2011-2024年中國(guó)SiC、GaN電力電子和GaN微波射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
圖表36　中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)業(yè)務(wù)布局情況
圖表37　2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)分布熱力地圖
圖表38　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表39　2018-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體供需情況
圖表40　中國(guó)第三代半導(dǎo)體價(jià)格情況
圖表41　2019-2024年我國(guó)工業(yè)硅產(chǎn)能總體情況
圖表42　2019-2024年我國(guó)工業(yè)硅產(chǎn)量變化
圖表43　2023-2024年我國(guó)工業(yè)硅消費(fèi)結(jié)構(gòu)變化
圖表44　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（一）
圖表45　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（二）
圖表46　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（三）
圖表47　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)主要企業(yè)
圖表48　國(guó)內(nèi)碳化硅單晶知名企業(yè)
圖表49　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
圖表50　氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表51　GaN原子結(jié)構(gòu)
圖表52　典型GaN HEMT結(jié)構(gòu)
圖表53　GaN材料與Si材料性能對(duì)比分析
圖表54　GaN制備流程
圖表55　HVPE系統(tǒng)示意圖
圖表56　GaN外延生長(zhǎng)常用方法示意圖
圖表57　部分國(guó)內(nèi)企業(yè)GaN產(chǎn)品進(jìn)展
圖表58　2019-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體GaN材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表59　2022、2023年GaN（氮化鎵）半導(dǎo)體主流產(chǎn)品市場(chǎng)份額
圖表60　2016-2025年中國(guó)氮化鎵技術(shù)相關(guān)專利申請(qǐng)規(guī)模變化
圖表61　GaN半導(dǎo)體器件類別及應(yīng)用
圖表62　GaN器件主要產(chǎn)品
圖表63　Cascode GaN晶體管
圖表64　EPC的電氣參數(shù)
圖表65　LGA封裝示意圖
圖表66　氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程
圖表67　2019-2024年中國(guó)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)量、需求量、市場(chǎng)規(guī)模及單價(jià)
圖表68　中國(guó)氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)代表企業(yè)及業(yè)務(wù)概述
圖表69　2023-2029年全球射頻氮化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模
圖表70　境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)
圖表71　大陸GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)
圖表72　GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)占示意圖
圖表73　Navitas GaN單管應(yīng)用舉例
圖表74　激光雷達(dá)脈沖寬度對(duì)距離測(cè)量分辨率的影響
圖表75　Si和GaN器件驅(qū)動(dòng)的激光雷達(dá)成像分辨率對(duì)比圖
圖表76　恒定電壓供電方式的典型波形
圖表77　包絡(luò)線跟隨供電方式的典型波形
圖表78　ET技術(shù)的原理框圖
圖表79　DBC方式的硅基器件的熱阻發(fā)展趨勢(shì)
圖表80　碳化硅定義與分類
圖表81　SiC-MOSFET相對(duì)硅基器件優(yōu)勢(shì)
圖表82　SiC襯底制作工藝流程
圖表83　CVD法制備碳化硅外延工藝流程
圖表84　國(guó)內(nèi)SiC襯底技術(shù)指標(biāo)進(jìn)展
圖表85　SiC功率器件分類
圖表86　碳化硅半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工序
圖表87　SiC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表88　PVT法生長(zhǎng)碳化硅晶體示意圖
圖表89　8英寸SiC晶體和晶片照片
圖表90　8英寸SiC晶片的Raman散射圖譜
圖表91　8英寸4度偏角（4 off-axis）SiC晶片（0004）面的X射線搖擺曲線
圖表92　國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距對(duì)比
圖表93　碳化硅晶體生長(zhǎng)主流工藝比較
圖表94　不同切割工藝的性能對(duì)比
圖表95　碳化硅器件制造工藝流程與成本結(jié)構(gòu)分析
圖表96　8英寸碳化硅襯底可實(shí)現(xiàn)成本降低
圖表97　晶體生長(zhǎng)原理
圖表98　2020-2025年全球碳化硅襯底市場(chǎng)規(guī)模變化
圖表99　2021-2029年SiC晶圓及器件產(chǎn)能擴(kuò)張
圖表100　2023-2024年1200V/40mΩ碳化硅價(jià)格走勢(shì)
圖表101　2022-2024年中國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)能
圖表102　2019-2028年碳化硅外延片及襯底的平均售價(jià)
圖表103　海外碳化硅大廠產(chǎn)能及8英寸產(chǎn)能規(guī)劃
圖表104　中國(guó)碳化硅大廠產(chǎn)能及產(chǎn)能規(guī)劃
圖表105　2024年碳化硅行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域占全球比重情況
圖表106　2024年中國(guó)碳化硅供給主體區(qū)域分布
圖表107　2024年碳化硅襯底+外延優(yōu)勢(shì)企業(yè)區(qū)域布局
圖表108　2024年碳化硅制造+模組/封裝優(yōu)勢(shì)企業(yè)區(qū)域布局
圖表109　2024年碳化硅器件代表性企業(yè)區(qū)域布局
圖表110　全球碳化硅（SiC）領(lǐng)域品牌競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表111　中國(guó)碳化硅（SiC）行業(yè)市場(chǎng)特征
圖表112　2023年中國(guó)碳化硅上市公司-業(yè)務(wù)布局情況分析
圖表113　2016-2025年中國(guó)碳化硅技術(shù)相關(guān)專利申請(qǐng)規(guī)模變化
圖表114　半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底的對(duì)比
圖表115　SiC平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的對(duì)比
圖表116　市場(chǎng)上溝槽型SiC MOSFET結(jié)構(gòu)
圖表117　2020-2025年全球半絕緣型碳化硅基射頻半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模
圖表118　2020-2025年全球碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模變化
圖表119　2020-2025年碳化硅在全球功率半導(dǎo)體中的滲透率
圖表120　部分國(guó)內(nèi)企業(yè)SiC模塊產(chǎn)品進(jìn)展
圖表121　碳化硅功率器件應(yīng)用領(lǐng)域
圖表122　碳化硅在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
圖表123　兩種類型的碳化硅器件的終端用途
圖表124　導(dǎo)電型碳化硅功率器件應(yīng)用領(lǐng)域
圖表125　5G基站發(fā)展趨勢(shì)
圖表126　不同類型射頻器件在高頻高功率下應(yīng)用對(duì)比
圖表127　不同電壓平臺(tái)下SiC和Si基逆變器的損耗
圖表128　氮化鋁晶體結(jié)構(gòu)及晶須
圖表129　氮化鋁陶瓷基板的性能優(yōu)勢(shì)
圖表130　InGaZnO4晶體結(jié)構(gòu)
圖表131　2018-2025年中國(guó)氧化鋅產(chǎn)量及消費(fèi)量情況
圖表132　2018-2025年中國(guó)氧化鋅價(jià)格走勢(shì)情況
圖表133　2020-2025年中國(guó)氧化鋅進(jìn)出口情況
圖表134　中國(guó)氧化鋅行業(yè)代表性企業(yè)簡(jiǎn)介
圖表135　β-Ga2O3功率器件與其他主要半導(dǎo)體功率器件的理論性能極限
圖表136　金剛石結(jié)構(gòu)
圖表137　金剛石與其他半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
圖表138　中國(guó)金剛石晶圓企業(yè)動(dòng)態(tài)
圖表139　金剛石晶圓企業(yè)融資情況
圖表140　金剛石晶圓行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
圖表141　2025第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展目標(biāo)
圖表142　2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領(lǐng)域滲透率情況
圖表143　全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域占比
圖表144　功率半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)占比情況
圖表145　2014-2024年我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長(zhǎng)率
圖表146　2020-2024年主營(yíng)LED企業(yè)經(jīng)營(yíng)分析
圖表147　2024年半導(dǎo)體照明各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)主營(yíng)上市公司營(yíng)收凈利增速
圖表148　2025年半導(dǎo)體照明各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)主營(yíng)上市公司營(yíng)收凈利增速
圖表149　2024年半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比
圖表150　2024年各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)IPO募資比例
圖表151　2024年半導(dǎo)體照明行業(yè)部分并購事件匯總
圖表152　半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)鏈
圖表153　中國(guó)半導(dǎo)體激光器行業(yè)相關(guān)企業(yè)
圖表154　2019-2025年中國(guó)5G基站行業(yè)融資整體情況
圖表155　5G主要技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求
圖表156　2020-2024年新能源市場(chǎng)銷量走勢(shì)
圖表157　2025年中國(guó)新能源市場(chǎng)產(chǎn)量分析表
圖表158　2025年中國(guó)新能源市場(chǎng)零售銷量分析表
圖表159　2025年中國(guó)新能源市場(chǎng)批發(fā)銷量分析表
圖表160　2024年我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)集中度
圖表161　2025年我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)集中度
圖表162　我國(guó)設(shè)施與汽車的對(duì)比
圖表163　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)分布熱力地圖
圖表164　第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表165　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)回顧
圖表166　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（二）
圖表167　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（三）
圖表168　2018-2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體專利數(shù)量
圖表169　2018-2023年中國(guó)第三代半導(dǎo)體器件專利申請(qǐng)人排名
圖表170　2018-2023年江蘇省第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新主體排名
圖表171　2018-2023年江蘇省各市第三代半導(dǎo)體專利數(shù)量排名
圖表172　2018-2023年南京市第三代半導(dǎo)體器件專利申請(qǐng)人排名
圖表173　2018-2023年蘇州市第三代半導(dǎo)體器件專利申請(qǐng)人排名
圖表174　蘇州、南京主要專利IPC及注解
圖表175　廈門碳化硅子產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)圖譜
圖表176　三安光電股份有限公司主要產(chǎn)品
圖表177　2024年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表178　2022-2025年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表179　2022-2025年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表180　2022-2025年三安光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表181　2022-2025年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表182　2022-2025年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表183　2022-2025年三安光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表184　2022-2025年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表185　2022-2025年三安光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表186　2024年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表187　2022-2025年聞泰科技股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表188　2022-2025年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表189　2022-2025年聞泰科技股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表190　2022-2025年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表191　2022-2025年聞泰科技股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表192　2022-2025年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表193　2022-2025年聞泰科技股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表194　2022-2025年聞泰科技股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表195　2023-2024年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表196　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表197　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表198　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表199　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表200　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表201　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表202　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表203　2022-2025年北京賽微電子股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表204　2023-2024年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入整體情況
圖表205　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表206　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表207　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表208　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表209　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表210　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表211　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表212　2022-2025年廈門乾照光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表213　2023-2024年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表214　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表215　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表216　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表217　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表218　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表219　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表220　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表221　2022-2025年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表222　京東方華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表223　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表224　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表225　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表226　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表227　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表228　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表229　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表230　2022-2025年京東方華燦光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表231　2024年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)收入結(jié)構(gòu)
圖表232　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司產(chǎn)銷量情況分析
圖表233　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表234　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表235　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表236　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表237　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表238　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表239　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表240　2022-2025年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表241　2024年車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體芯片企業(yè)融資情況
圖表242　國(guó)內(nèi)部分第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目分布
圖表243　國(guó)內(nèi)部分第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)展
圖表244　氣派科技股份有限公司募集資金使用情況
圖表245　第三代半導(dǎo)體及硅功率器件先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目概算
圖表246　第三代半導(dǎo)體及硅功率器件先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目建設(shè)周期
圖表247　2016-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表248　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于最佳窗口期
圖表249　國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)合作情況
圖表250　中投顧問對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型
圖表251　2025-2029年我國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)