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第一章 芯片技術相關概述
1.1 芯片技術概念闡釋
1.1.1 芯片技術概述
1.1.2 芯片架構概述
1.2 芯片技術相關介紹
1.2.1 芯片技術特性
1.2.2 芯片技術壟斷
第二章 2023-2025年國內外芯片技術發(fā)展綜況
2.1 全球芯片技術發(fā)展綜述
2.1.1 全球芯片技術前沿
2.1.2 全球技術創(chuàng)新趨勢
2.1.3 全球下一代芯片技術
2.2 中國芯片技術發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.1 芯片技術設備封鎖
2.2.2 芯片技術突破創(chuàng)新
2.2.3 芯片技術發(fā)展制約
2.3 芯片技術專利申請狀況
2.3.1 2024年芯片行業(yè)專利申請概況
2.3.2 2024年芯片行業(yè)專利技術構成
2.3.3 2024年芯片行業(yè)專利申請人分析
2.3.4 2024年芯片行業(yè)技術創(chuàng)新熱點
第三章 2023-2025年芯片設計領域技術發(fā)展狀況分析
3.1 中國芯片設計領域技術發(fā)展分析
3.1.1 技術基本流程
3.1.2 技術發(fā)展階段
3.1.3 技術發(fā)展意義
3.1.4 技術參與主體
3.1.5 技術壟斷優(yōu)勢
3.1.6 技術發(fā)展效益
3.2 芯片架構設計技術發(fā)展分析
3.2.1 技術設計原則
3.2.2 技術應用分類
3.2.3 技術支持工具
3.2.4 技術發(fā)展階段
3.2.5 技術發(fā)展進程
3.2.6 技術發(fā)展意義
3.3 芯片EDA技術發(fā)展分析
3.3.1 技術發(fā)展歷程
3.3.2 技術應用領域
3.3.3 技術發(fā)展意義
3.3.4 技術發(fā)展特點
3.3.5 技術發(fā)展進程
3.3.6 技術發(fā)展效益
第四章 2023-2025年芯片制造領域技術發(fā)展狀況分析
4.1 中國芯片制造領域技術發(fā)展分析
4.1.1 技術發(fā)展歷程
4.1.2 技術發(fā)展規(guī)律
4.1.3 技術發(fā)展邏輯
4.1.4 技術發(fā)展綜況
4.1.5 技術發(fā)展進程
4.1.6 技術發(fā)展阻礙
4.2 晶圓制備技術發(fā)展分析
4.2.1 技術發(fā)展歷程
4.2.2 技術發(fā)展階段
4.2.3 技術發(fā)展意義
4.2.4 技術發(fā)展綜況
4.2.5 技術發(fā)展進程
4.2.6 技術發(fā)展效益
4.3 氧化技術發(fā)展分析
4.3.1 技術的發(fā)展分類
4.3.2 技術發(fā)展意義
4.3.3 技術發(fā)展綜況
4.3.4 技術應用發(fā)展
4.4 光刻技術發(fā)展分析
4.4.1 技術發(fā)展歷程
4.4.2 技術發(fā)展階段
4.4.3 技術發(fā)展意義
4.4.4 技術發(fā)展綜況
4.4.5 技術發(fā)展進程
4.4.6 技術發(fā)展效益
第五章 2023-2025年芯片封裝領域技術發(fā)展狀況分析
5.1 中國芯片封裝領域技術發(fā)展分析
5.1.1 技術發(fā)展歷程
5.1.2 技術發(fā)展意義
5.1.3 技術發(fā)展綜況
5.1.4 技術等級劃分
5.1.5 技術功能作用
5.1.6 技術發(fā)展效益
5.2 先進封裝技術發(fā)展分析
5.2.1 技術發(fā)展歷程
5.2.2 技術發(fā)展重點
5.2.3 技術發(fā)展類型
5.2.4 技術發(fā)展進程
5.2.5 技術發(fā)展前沿
5.2.6 技術發(fā)展問題
5.2.7 技術發(fā)展方向
5.3 傳統(tǒng)封裝技術發(fā)展分析
5.3.1 技術發(fā)展歷程
5.3.2 技術發(fā)展階段
5.3.3 技術發(fā)展比較
5.3.4 技術發(fā)展綜況
5.3.5 技術應用方向
5.3.6 技術發(fā)展效益
第六章 2023-2025年芯片測試領域技術發(fā)展狀況分析
6.1 中國芯片測試領域技術發(fā)展分析
6.1.1 技術發(fā)展綜況
6.1.2 技術階段分類
6.1.3 技術發(fā)展意義
6.1.4 技術發(fā)展進程
6.1.5 技術發(fā)展阻礙
6.1.6 技術發(fā)展效益
6.2 測試機技術發(fā)展分析
6.2.1 技術發(fā)展歷程
6.2.2 技術發(fā)展階段
6.2.3 技術發(fā)展意義
6.2.4 技術發(fā)展綜況
6.2.5 技術發(fā)展進程
6.2.6 技術發(fā)展效益
6.3 探針卡技術發(fā)展分析
6.3.1 技術發(fā)展綜況
6.3.2 技術發(fā)展階段
6.3.3 技術發(fā)展對比
6.3.4 技術發(fā)展進程
6.3.5 技術發(fā)展意義
6.3.6 技術發(fā)展效益
第七章 我國重點企業(yè)芯片技術戰(zhàn)略部署
7.1 紫光國芯微電子股份有限公司
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況分析
7.1.2 紫光國微技術發(fā)展歷程
7.1.3 紫光國微技術發(fā)展現(xiàn)狀
7.1.4 紫光國微技術核心競爭力
7.1.5 紫光國微技術研發(fā)進程
7.1.6 紫光國微技術發(fā)展建議
7.1.7 紫光國微技術發(fā)展前景
7.2 中芯國際集成電路制造有限公司
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況分析
7.2.2 中芯國際技術發(fā)展歷程
7.2.3 中芯國際技術發(fā)展現(xiàn)狀
7.2.4 中芯國際技術核心競爭力
7.2.5 中芯國際技術研發(fā)進程
7.2.6 中芯國際技術發(fā)展建議
7.2.7 中芯國際技術發(fā)展前景
7.3 華虹半導體有限公司
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況分析
7.3.2 華虹半導體技術發(fā)展歷程
7.3.3 華虹半導體技術發(fā)展現(xiàn)狀
7.3.4 華虹半導體技術核心競爭力
7.3.5 華虹半導體技術研發(fā)進程
7.3.6 華虹半導體技術發(fā)展建議
7.3.7 華虹半導體技術發(fā)展前景
7.4 江蘇長電科技股份有限公司
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況分析
7.4.2 長電科技技術發(fā)展歷程
7.4.3 長電科技技術發(fā)展現(xiàn)狀
7.4.4 長電科技技術核心競爭力
7.4.5 長電科技技術研發(fā)進程
7.4.6 長電科技技術發(fā)展建議
7.4.7 長電科技技術發(fā)展前景
第八章 芯片技術發(fā)展前景趨勢預測
8.1 芯片分類別技術趨勢
8.1.1 芯片技術發(fā)展趨勢
8.1.2 邏輯技術發(fā)展趨勢
8.1.3 存儲技術發(fā)展趨勢
8.1.4 集成技術發(fā)展趨勢
8.2 芯片分步驟技術趨勢
8.2.1 芯片設計技術發(fā)展趨勢
8.2.2 芯片制造技術發(fā)展趨勢
8.2.3 芯片封裝技術發(fā)展趨勢
8.2.4 芯片測試技術發(fā)展趨勢
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量、授權量及對應授權率數(shù)據(jù)表
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量、授權量及對應授權率走勢圖
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)專利類型占比
圖表 截至2023年芯片行業(yè)專利審查時長
圖表 截至2023年芯片行業(yè)有效專利總量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)審中專利總量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)失效專利總量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)領域的專利在不同法律事件上的分布
圖表 芯片行業(yè)生命周期
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)專利申請量與專利申請人數(shù)量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)專利申請中國省市分布
圖表 截至2023年芯片行業(yè)專利申請在中國各省市申請量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)主要技術分支的專利分布
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)領域在主要技術分支的專利申請變化情況
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)領域各技術分支內領先申請人的分布情況
圖表 截至2023年芯片行業(yè)功效矩陣
圖表 截至2023年芯片行業(yè)領域申請人的專利量排名情況
圖表 芯片行業(yè)專利集中度
圖表 芯片行業(yè)領域在主要技術方向上的新入局者
圖表 截至2023年芯片行業(yè)領域合作申請分析
圖表 截至2023年芯片行業(yè)領域主要申請人技術分析
圖表 2014-2023年芯片行業(yè)領域主要申請人逐年專利申請量
圖表 截至2023年芯片行業(yè)創(chuàng)新熱點
圖表 截至2023年芯片行業(yè)領域熱門技術專利量
圖表 芯片設計流程
圖表 現(xiàn)階段市場芯片架構對比
圖表 芯片EDA技術發(fā)展歷程
圖表 EDA對集成電路設計和制造環(huán)節(jié)形成支撐
圖表 2000-2028年EDA技術可降低設計成本趨勢
圖表 全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術路線
圖表 8英寸和12英寸硅片發(fā)展歷史
圖表 襯底晶圓材料對應尺寸
圖表 外延生長對應wafer尺寸
圖表 不同晶圓尺寸發(fā)展歷程
圖表 襯底制備的基本步驟
圖表 外延晶圓片結構示意圖
圖表 MBE與MOCVD技術對比
圖表 不同晶圓制造工藝示意圖
圖表 FinFET工藝七大玩家進展
圖表 氧化的種類
圖表 自由基氧化的特點
圖表 密勒指數(shù)(Miller indices)描述的硅原子排列
圖表 氧化物在晶圓表面的保護作用
圖表 干法氧化和濕法氧化
圖表 晶圓表面圖示
圖表 擴散遮蔽層
圖表 離子注入屏蔽氧化層
圖表 STI工藝中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
圖表 光刻機技術發(fā)展進程
圖表 光刻機參數(shù)對比
圖表 光刻機工作原理
圖表 光刻步驟圖示
圖表 光刻的主要流程
圖表 封裝外型圖示
圖表 封裝方式發(fā)展歷程圖
圖表 封裝形式發(fā)展階段細分
圖表 BGA(ball grid array)封裝技術
圖表 COB(chip on board)封裝技術
圖表 DIP(dual in-line package)封裝技術
圖表 SDIP(shrink dual in-line package)封裝技術
圖表 flip-chip封裝技術
圖表 MCM(multi-chip module)封裝技術
圖表 QFP(quad flat package)封裝技術
圖表 BQFP(quad flat package with bumper)封裝技術
圖表 QFH(quad flat high package)封裝技術
圖表 CQFP(quad fiat package with guard ring)封裝技術
圖表 MQUAD(metal quad)封裝技術
圖表 Cerquad封裝技術
圖表 QFG(quad flat J-leaded package)封裝技術
圖表 QFN(quad flat non-leaded package)封裝技術
圖表 TCP(Tape Carrier Package)封裝技術
圖表 Tape Automated Bonding(TAB)封裝技術
圖表 PGA(pin grid array)封裝技術
圖表 LGA(land grid array)封裝技術
圖表 QUIP(quad in-line package)封裝技術
圖表 MFP(mini flat package)封裝技術
圖表 SIMM(single in-line memory module)封裝技術
圖表 DIMM(Dual Inline Memory Module)封裝技術
圖表 SIP(single in-line package)封裝技術
圖表 SMD(surface mount devices)封裝技術
圖表 SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)封裝技術
圖表 TO packageTO封裝技術
圖表 半導體芯片的封裝等級
圖表 半導體芯片封裝示例
圖表 半導體封裝的作用
圖表 先進封裝技術的發(fā)展趨勢圖
圖表 Bumping工藝示意圖
圖表 重布線層技術示意圖
圖表 硅中介層技術示意圖
圖表 硅通孔技術示意圖
圖表 傳統(tǒng)封裝與晶圓級別封裝對比
圖表 3DIC與2.5D封裝對比
圖表 系統(tǒng)級封裝示意圖
圖表 Chiplet封裝示意圖
圖表 長電科技封裝項目
圖表 華天科技封裝技術項目
圖表 富通微電封裝技術項目
圖表 Amkor封裝解決方案
圖表 芯片良率與芯片面積的關系
圖表 芯片成本隨工藝節(jié)點微縮遞增
圖表 典型芯粒產品
圖表 TSV基本結構示意圖
圖表 臺積電CoWoS封裝技術路線
圖表 賽靈思FPGA CoWoS封裝
圖表 CEA-Leti96核處理器集成技術
圖表 英特爾Foveros技術
圖表 片外存儲從并排布局轉為三維堆疊
圖表 HBM架構和封裝集成示意圖
圖表 臺積電InFO SoW技術
圖表 英偉達A100芯片與特斯拉Dojo訓練Tile主要性能指標對比
圖表 英特爾EMIB互連技術
圖表 鍵合技術的演進
圖表 AMD3D芯粒技術
圖表 臺積電SoIC-WoW混合鍵合技術
圖表 先進封裝技術兩個發(fā)展方向
圖表 傳統(tǒng)封裝技術演變
圖表 傳統(tǒng)封裝技術簡介
圖表 先進封裝與傳統(tǒng)封裝簡單對比
圖表 引線框架封裝和基板封裝的組裝步驟
圖表 晶圓背面研磨工藝的四個步驟
圖表 通過刀片切割工藝將晶圓切割成芯片
圖表 芯片貼裝工藝
圖表 芯片互連步驟示意圖
圖表 回流焊工藝的溫度曲線
圖表 封裝技術的在不同硬件設備的應用方向
圖表 IC測試基本原理模型
圖表 CP測試系統(tǒng)示意圖
圖表 測試機發(fā)展歷程
圖表 CP測試系統(tǒng)示意圖
圖表 測試機分類及介紹
圖表 光學檢測技術、電子束檢測技術和X光量測技術對比
圖表 三種檢測技術在檢測環(huán)節(jié)的具體應用情況
圖表 四類量測環(huán)節(jié)在產業(yè)鏈中的應
圖表 探針卡分類狀況
圖表 細分類型探針卡交貨期對比
圖表 圖探針卡結構示意圖
圖表 基于LTCC的MEMS探針卡的制作過程
圖表 通過Au/Sn共晶鍵合轉移到LTCC基板上的探針結構
圖表 探針用陶瓷基板
圖表 圖晶圓測試示意圖
圖表 半導體晶圓測試的探針卡
圖表 紫光國微發(fā)展歷程
圖表 紫光國微產品矩陣
圖表 紫光國微技術發(fā)展歷程
圖表 紫光國微智能安全芯片主要產品
圖表 紫光國微特種集成電路產品系列
圖表 紫光國微FPGA產品系列
圖表 中芯國際業(yè)務圖
圖表 中芯國際發(fā)展歷程
圖表 全球主要晶圓廠制程節(jié)點技術路線圖
圖表 中芯國際工藝平臺及下游應用
圖表 中芯國際邏輯工藝技術平臺(成熟制程)
圖表 中芯國際特色工藝技術平臺
圖表 制程升級伴隨MOS結構的升級
圖表 華虹半導體歷史沿革
圖表 華虹半導體工藝平臺
圖表 華虹半導體主要產品及服務變化情況
圖表 華虹半導體主要工藝平臺及具體情況
圖表 華虹半導體主要核心技術平臺情況
圖表 華虹半導體主要在研項目具體情況
圖表 長電科技主要業(yè)務情況
圖表 長電科技下游主要應用領域及優(yōu)勢
圖表 長電科技全球戰(zhàn)略布局
圖表 長電科技發(fā)展歷史
圖表 長電科技Chiplet平臺及解決方案—XDFOITM
圖表 截至2022年中國大陸頭部封測公司主要封裝產品對比
圖表 長電科技在各封裝領域的技術優(yōu)勢
圖表 長電科技封裝技術
圖表 長電科技Chiplet技術路徑
圖表 先進制程與先進封裝的技術迭代時間圖
圖表 后摩爾時代器件結構演變
圖表 Fin FET與GAA NS器件結構剖面示意圖
圖表 底層納米片串聯(lián)電阻示意圖
圖表 PTS和BDI防止底部寄生管漏電問題示意圖
圖表 GAA NS器件與Forksheet器件的對比示意圖
圖表 GAA NS器件與Forksheet器件的N/P間距示意圖
圖表 CFET結構示意圖
圖表 CFET中上下層器件金屬互連導致很大的通孔深寬比示意圖
圖表 單塊集成CFET的典型集成方法
圖表 順序集成CFET的典型方法
圖表 HBM示例圖
圖表 主流3D DRAM技術探索方向
圖表 PCH單元解決電阻漂移問題
圖表 基于垂直架構的三維相變存儲器架構
圖表 鐵電存儲器三維架構的兩種實現(xiàn)方式
圖表 垂直3D RRAM架構
圖表 基于RRAM的神經網絡計算技術示意圖
圖表 X-Cube示例圖
圖表 集成電路封裝產業(yè)發(fā)展趨勢
圖表 中國集成電路封裝產業(yè)前景預測
芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復雜。
半導體設計的創(chuàng)新領導力在多個行業(yè)產生創(chuàng)新,從而支持更廣泛的經濟增長和市場領導地位。芯片設計中,設計師要根據(jù)指令集進行微架構和核心設計,而微架構決定著芯片的性能、功耗和面積;而指令集的先進與否,也關系到CPU的性能發(fā)揮,因此是CPU性能體現(xiàn)的一個重要標志。芯片制造業(yè)演進的基本規(guī)律在于領域細分化、技術累積化和產出精品化;并且在現(xiàn)階段,光刻、刻蝕、薄膜和摻雜氧化技術發(fā)展遇到了瓶頸,而封測技術正在試圖成為未來發(fā)展的方向。
封裝技術是半導體制造中不可或缺的一環(huán),它可以提高半導體器件的性能和可靠性,同時也可以降低成本。隨著科技的不斷發(fā)展,封裝技術的重要性也愈發(fā)突出。半導體檢測根據(jù)使用的環(huán)節(jié)以及檢測項目的不同,可分為前道檢測和后道檢測。其中,前道量測包括量測類和缺陷檢測類,主要用于晶圓加工環(huán)節(jié),目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產品的加工參數(shù)是否達到設計的要求或者存在影響良率的缺陷,屬于物理性檢測;后道測試根據(jù)功能的不同包括分選機、測試機、探針臺,主要是用在晶圓加工之后、封裝測試環(huán)節(jié)內,目的是檢查芯片的性能是否符合要求,屬于電性能檢測。
中投產業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2029年中國芯片技術發(fā)展?jié)摿Ψ治鰣蟾妗饭舶苏。首先,報告對芯片技術進行概述并總結國內外芯片技術發(fā)展現(xiàn)狀;接著,報告對芯片設計、芯片制造、芯片封裝、芯片測試四個領域技術發(fā)展狀況進行分析;最后,報告分析了我國重點芯片企業(yè)技術戰(zhàn)略部署,并科學的預測了芯片技術發(fā)展前景。
本研究報告數(shù)據(jù)主要來自于國家知識產權局、中投產業(yè)研究院、中投產業(yè)研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數(shù)據(jù)權威、詳實、豐富。您或貴單位若想對芯片技術發(fā)展?jié)摿τ袀系統(tǒng)深入的了解、或者想投資芯片相關產業(yè),本報告將是您不可或缺的重要參考工具。